15 câu hỏi trắc nghiệm thuộc 80+ câu trắc nghiệm Điện công suất (Phần 1)

Câu 1:

Transistor công suất (BJT) được xem như là một công tắc bán dẫn có khả năng chịu được dòng điện lớn nên điện tính trong vùng phát phải thật lớn vì thế:

A. Transistor được thiết kế độ rộng vùng phát hẹp để giảm điện trở nền ký sinh

B. Transistor có cấu trúc xen kẻ (interdigitated structure) của nhiều cực nền và cực phát

C. Transistor có điện trở cực phát rất nhỏ

D. Các câu a, b, c đều đúng

Xem đáp án

D là đáp án đúng

Câu 2:

Phát biểu nào sau đây thì đúng về đặc tính của transistor (BJT) công suất:

A. Độ lợi dòng nhỏ còn tuỳ thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi càng nhỏ

B. Độ lợi dòng lớn còn tuỳ thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi càng lớn

C. Ngoài hiện tượng huỷ thác do phân cực nghịch còn có hiện tượng huỷ thác thứ cấp do transistor hoạt động ở điện thế và dòng lớn

D. Các câu a và c thì đúng

Xem đáp án

D là đáp án đúng

Câu 3:

Phát biểu nào sau đây đúng cho cấu trúc của mosfet công suất:

A. Có cấu trúc xen kẻ của các tiếp giáp np để cấp dòng lớn

B. Có cấu trúc kênh dẫn theo hình chữ V nên còn gọi là Vmosfet để cấp dòng lớn

C. Có diện tích tiếp xúc của vùng hiếm nhỏ để cấp dòng lớn

D. Các câu a, b, c đều đúng

Xem đáp án

B là đáp án đúng

Câu 4:

Phát biểu nào sau đây đúng cho đặc tính của mosfet công suất:

A. Điện trở giửa cực D và S khi dẫn nhỏ (vài chục mΩ )

B. Tổng trở vào rất lớn, điện thế cực đại VGS cở vài chục volt

C. Thời gian đáp ứng trên dãy nhiệt độ rộng, thời gian giao hoán nhanh (> 100kHz)

D. Tất cả các câu a, b, c đều đúng

Xem đáp án

D là đáp án đúng

Câu 5:

Phát biểu nào sau đây đúng về sự khác biệt của mosfet so với BJT công suất:

A. Tần số làm việc thấp so với BJT công suất

B. Đáp ứng tần số nhỏ hơn BJT công suất

C. Đặc tuyến có trị số tới hạn tối đa, không có hiện tượng huỷ thác thứ cấp so với BJT công suất

D. Thực hiện mạch thúc khó hơn BJT công suất

Xem đáp án

C là đáp án đúng

Câu 6:

Triac có bao nhiêu cách kích dẫn:

A. một cách

B. hai cách

C. ba cách

D. bốn cách

Xem đáp án

D là đáp án đúng

Câu 7:

Phát biểu nào sau đây đúng trong và thuận lợi trong việc kích dẫn triac:

A. Dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac âm

B. Dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac âm

C. Dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac âm

D. Dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac âm

Xem đáp án

A là đáp án đúng

Câu 8:

Phát biểu nào sau đây thì đúng cho cách kích triac:

A. Vì triac dẫn cả hai chiều nên kích bằng điện DC và bằng xung thì thông dụng hơn bằng điện AC

B. Vì triac dẫn cả hai chiều nên kích bằng điện AC và bằng xung thì thông dụng hơn bằng điện DC

C. Vì triac dẫn chỉ một chiều nên kích bằng điện AC và bằng xung thì thông dụng hơn bằng điện DC

D. Vì triac dẫn cả hai chiều nên kích bằng điện AC và bằng DC thì thông dụng hơn bằng xung

Xem đáp án

B là đáp án đúng

Câu 9:

Phát biểu nào đúng cho SCS (silicon controlled switch):

A. Có cấu tạo giống như SCR nhưng cực G kích xung âm để điều khiển đóng

B. Có cấu tạo giống như GTO nhưng cực G kích xung dương để điều khiển đóng

C. Có cấu tạo giống như SCR nhưng có hai cực G kích xung âm và xung dương để điều khiển đóng hoặc ngắt

D. Các phát biểu trên đều đúng

Xem đáp án

C là đáp án đúng

Câu 10:

Phát biểu nào đúng cho việc điều khiển đóng ngắt SCS (silicon controlled switch):

A. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn VAK âm và cho xung kích đi vào cực GK, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực GA

B. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn VAK dương và cho xung kích đi vào cực GA, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực GK

C. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn VAK dương và cho xung kích đi vào cực GK, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực GA

D. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn VAK âm và cho xung kích đi vào cực GA, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực GK

Xem đáp án

C là đáp án đúng

Câu 11:

Phát biểu nào sau đây đúng cho GTO (gate turn off SCR):

A. GTO có cấu tạo giống như SCS, nhưng không có cực GA

B. GTO có cấu tạo giống như SCR nhưng có thêm cực điều khiển ngắt mắc song song với cực điều khiển đóng

C. GTO có cấu tạo giống như SCR nhưng có thêm cực điều khiển ngắt mắc đối diện với cực điều khiển đóng

D. Các phát biểu trên đều sai

Xem đáp án

B là đáp án đúng

Câu 12:

Phát biểu nào sau đây đúng với IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor):

A. IGBT là linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCR và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

B. IGBT là linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCS và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

C. IGBT là linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Transistor và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

D. IGBT là linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Triac và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

Xem đáp án

C là đáp án đúng

Câu 13:

Phát biểu nào sau đây đúng với đặc tính của IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor):

A. Công suất cung cấp cho tải trung bình (khoảng vài kW)

B. Tần số làm việc cao (vài kHz)

C. Thời gian giao hoán ngắt bé (khoảng 0,15 µs )

D. Các phát biểu trên đều đúng

Xem đáp án

D là đáp án đúng

Câu 14:

Trong các linh kiện sau đây loại nào không phải là linh kiện công suất:

A. BJT

B. JFET

C. UJT

D. TRIAC

Xem đáp án

C là đáp án đúng

Câu 15:

Trong các linh kiện sau đây loại nào không có khả năng điều khiển công suất:

A. MOSFET

B. THYIRSTOR

C. TRIAC

D. DIAC

Xem đáp án

D là đáp án đúng